存储芯片，前所未有

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文章摘要

全球存储芯片行业正经历由AI驱动的结构性变革，存储巨头三星电子、SK海力士、西部数据和美光科技的最新财报均显示营收与利润超预期增长，标志着行业从低谷强势复苏。三星电子2025年第三季度营业利润达12.2万亿韩元，存储业务成为核心增长引擎，HBM3E量产与HBM4样品交付推动高端产品销量环比增长80%，同时47.4万亿韩元的资本开支重点投向1c DRAM产线扩建与2纳米工艺研发。

SK海力士创下营业利润率47%的历史纪录，HBM业务占DRAM销售额40%，其HBM4产品单价较HBM3E上涨50%以上，且已锁定2026年全部产能订单。该公司提出”全栈AI存储创造者”战略，计划通过清州M15X工厂和龙仁半导体产业群扩大产能，目标占据全球HBM市场60%份额。西部数据云存储业务营收占比达89%，32TB ePMR硬盘出货量突破220万台，并与超大规模客户签订覆盖2027年的长期协议。美光科技HBM3E产能全年售罄，数据中心业务收入两年增长五倍，其预测2026年DRAM供需失衡将因HBM晶圆消耗量激增而加剧。

行业呈现三大结构性特征：价格持续上涨，DDR5颗粒年内涨幅达367%，HBM4单价突破560美元；产能向高端倾斜，三大巨头压缩DDR4生产，集中资源满足AI服务器需求；技术迭代加速，High NA EUV光刻设备采购量激增，SK海力士16层HBM4与三星12层HBM4竞相突破。存储厂商与AI巨头深度绑定，三星、SK海力士参与OpenAI的Stargate数据中心项目，月需供应90万片DRAM晶圆。

这场变革彻底重构了存储行业的周期逻辑，AI需求推动HBM市场规模从2025年54万片晶圆激增105%，技术壁垒与资本门槛持续抬高行业集中度。存储芯片正从标准化大宗商品转变为算力生态的战略性资源，预计2026年全球DRAM/NAND需求增速将达20%/17-19%，供需缺口或长期存在。随着HBM4量产、3D DRAM技术突破与产能扩张，行业将进入由技术创新与生态协同定义的结构性繁荣新阶段。