焦虑的内存厂

49 0 0

文章摘要

当前DRAM市场处于结构性供需失衡状态，价格自2025年第三季度以来已接近翻倍，三星与SK海力士的利润大幅攀升，但行业领军企业却普遍表现出显著的扩产克制倾向。在历史经验反复验证下，内存厂商对新一轮产能过剩风险高度警觉，尽管行业景气持续，三家主要厂商资本开支增速远低于此前周期水平——TrendForce预计2026年行业总资本支出约613亿美元，仅同比增14%，而2017–2018年同期增幅达30%至50%。这种谨慎源于多重历史教训：1993–1996年因过度扩产致价格暴跌75%，日本企业大量退出；2000–2002年互联网泡沫破裂后新产能集中释放，引发数年低迷；2017–2018周期后的2022–2023年则遭遇消费市场崩塌，厂商录得负毛利率并被迫减产。

HBM技术崛起成为本轮周期核心变量，其制造所需TSV堆叠工艺导致单颗芯片消耗产能为普通DRAM的三到四倍，使厂商实质上压缩了标准DRAM供给。以AI服务器为例，其单机内存用量已达传统服务器三至四倍，且部署规模正呈指数增长；同时超大规模数据中心对价格不敏感、重视供应保障，切断了过去由终端消费者抑制需求的自我调节机制。在此背景下，SK海力士凭借与英伟达深度合作拿下约60% HBM份额，但仍在主动控制2027年可能出现的过剩风险；三星受制于HBM3E良率问题错失先机，计划聚焦HBM4及先进制程但内部对扩产节奏存疑；美光则采取战略割裂，全面退出消费类内存市场、押注高毛利AI客户，虽扩产力度居首却受限于新厂投产延迟。

全球净室产能扩张仍显不足，仅三星与SK海力士具备小幅扩建能力，美光新厂需至2027年前后才可贡献有效产能，进一步推升当前库存水平逼近历史低位——DRAM与NAND库存仅2至3周与3至4周，使得短期供需矛盾难以缓解。业界普遍预判，真正大规模新增产能要等到2027年韩厂大型产线投运之后方能改善格局；更严峻的是2028年潜在反转节点已引发深度担忧，多方指出双重下单、订单积压等特征往往预示需求拐点临近。此外，NAND领域因参与者更多且竞争激烈，有观点认为可能比DRAM更早面临价格战与过剩风险。

尽管行业整合已形成三至四家寡头主导格局，周期性本质未变，只是表现形式随AI带来新的复杂性。当前厂商策略体现共同逻辑：均试图避免成为下一轮调整中的牺牲者。然而信息黑洞依旧存在——每家企业扩产决策都依赖主观判断，当所有产能同步释放，最终只落得市场份额被整体平摊的结果。这一轮AI驱动下的周期，既考验着厂商的财务承受力，也重新检验着“景气期最宜扩产”的投资铁律是否依然适用。