长鑫存储上市，募资295亿

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文章摘要

长鑫存储作为中国领先的DRAM研发设计制造一体化企业，近期披露了上市进展及业务概况。公司自2016年成立以来，通过“跳代研发”策略快速完成四代工艺平台迭代，产品覆盖DDR4至DDR5、LPDDR4X至LPDDR5/5X系列，技术达国际先进水平。目前拥有合肥、北京三座12英寸晶圆厂，Omdia数据显示其产能位列全球第四、中国第一。多元化产品线涵盖晶圆、芯片及模组，服务服务器、移动设备、智能汽车等多领域需求。

财务数据显示，公司虽营收增长显著，但尚未实现盈利。2023年至2025年上半年累计亏损达408.57亿元，主要源于DRAM行业的高规模投入特性：产能爬坡期固定资产折旧成本高企，以及持续加码研发追赶国际技术。2024年EBITDA转正，但收入尚未覆盖全部成本。公司预计2025年营收将达550-580亿元，净利润有望实现20-35亿元，但短期仍面临扩产与研发带来的利润压力。

产品结构呈现明显代际升级趋势。第四代产品（DDR4/LPDDR4X）收入占比从2023年的100%降至2025年上半年的59.56%，第五代产品（DDR5/LPDDR5系列）占比快速提升至40.44%。大容量产品增长显著，如12GB以上LPDDR4X和64GB DDR5占比在2025年上半年分别达8.89%和9.91%。公司计划募资295亿元投入三大项目，进一步强化技术布局。

市场地位方面，长鑫存储2025年Q2全球DRAM市占率达3.97%。人工智能需求爆发为行业创造新增长空间，公司将加速产品迭代并探索新型存储技术。值得注意的是，其IPO采用科创板首创的预先审阅机制，通过两轮问询回复，成为该制度下首单受理案例。这一机制旨在减少敏感信息过早披露风险，同时提升审核效率。

股权结构显示公司无控股股东，第一大股东合肥清辉集电持股21.67%。随着技术突破与产能释放，长鑫存储有望在国产替代浪潮中进一步扩大市场份额，但盈利拐点仍需观察规模效应与研发成果的转化效率。