AGI焦点｜黄仁勋刚敬完酒，苏姿丰就飞韩国抢HBM4

文章摘要

【关 键 词】 HBM需求、存储短缺、国产崛起、芯片竞争、供应链重构

AI芯片竞争正深刻重塑全球存储产业链格局，高带宽内存（HBM）成为关键战略资源。传统存储行业约三年一轮的周期已被打破，受大型云厂商持续加码资本开支驱动，2025年相关硬件投入超4000亿美元，2026年预计升至6500亿美元，推动HBM需求激增。高盛预测2026年全球HBM需求将同比增长76%，而AI服务器内存消耗达传统服务器的8倍以上，结构性需求变化使存储脱离传统经济周期约束。供给侧受限于晶圆厂建设周期长、技术门槛高及客户认证流程复杂，叠加多容量规格并行导致产线频繁切换，HBM产能短缺预计将持续至2028年，并引发通用DRAM价格上扬，传导至终端消费电子产品。

韩国两大存储厂商三星与SK海力士在HBM领域展开激烈角逐。SK海力士凭借早期对HBM的持续投入，在良率、产能与迭代速度上领先，2025年营业利润历史性超过三星；而三星在错失前期窗口后加速追赶，于2024年2月率先向英伟达交付首批HBM4样品，并计划5月实现量产。当前英伟达新一代Rubin架构中约60–70%的HBM4订单仍倾向SK海力士，但三星与AMD正强化合作以提升竞争力。美光科技则在HBM4进度上相对滞后，行业焦点集中于韩系双雄。更进一步，标准化HBM4尚未定局，定制化HBM4E已进入竞争阶段，要求存储厂商具备逻辑集成与先进封装能力，三星拟采用自研2nm工艺推进HBM4E设计，SK海力士与美光则深化与台积电合作。

中国存储企业积极布局，虽在HBM高端领域仍存差距，但在通用DRAM与NAND闪存方向进展显著。长鑫存储作为国内DRAM龙头，全球产能占比超4%，已启动HBM3样品送测并计划年内量产，其科创板IPO拟募资295亿元，为科创板历史第二高；长江存储稳居全球3D NAND第一梯队，处于快速扩产期；佰维存储、宏芯宇电子、江波龙等厂商同步迎来高速增长，部分初创企业亦启动IPO融资。然而，核心工艺、先进封装等环节仍面临技术瓶颈，叠加中美芯片生态分化趋势，国产HBM突破需依赖全链条协同攻关。政策支持、资本涌入与创新动能汇聚下，设备、材料、设计、制造、封测各环节若能形成合力，将更有利于缩小与国际前沿的技术代差.

原文和模型

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【原文作者】 钛媒体AGI
【摘要模型】 qwen3-vl-plus-2025-12-19
【摘要评分】 ★★★☆☆

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