HBM被抢疯了

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文章摘要

在人工智能技术快速发展的背景下，全球存储市场正经历显著的价格波动和供应紧张。市场调研数据显示，DRAM内存价格已创下年内新高，DDR4 8Gb现货价格较第一季度低位上涨近五倍，DDR5 16Gb价格同比上涨40%，逼近2018年半导体热潮期的水平。机构预测第四季度DRAM产品价格将继续攀升，而OpenAI与三星、SK海力士达成的合作协议进一步加剧了供应压力。

OpenAI的”星际之门”项目成为推动HBM需求的关键因素。该项目计划投资5000亿美元建设下一代AI基础设施，需要大量高性能内存支持。媒体报道显示，OpenAI要求两家芯片制造商每月供应90万片DRAM晶圆，相当于两家公司产能总和。这一需求规模引发行业震动，SK海力士的HBM月产能约为16万片晶圆，若全部转为HBM生产，月销售额可达10万亿韩元。TechInsights分析指出，这一需求量将占据2025年全球DRAM预计产能的40%。

HBM技术因其高带宽特性成为AI时代的关键资源。相比传统DRAM，HBM能显著提升内存带宽，满足AI模型训练中对长序列处理和大型键值缓存的需求。行业数据显示，HBM市场在2024-2028年间复合年增长率预计达50%，SK海力士2025年产能已售罄，2026年配额也基本预定完毕。美光科技同样报告其2025年HBM产能全部预订一空，反映出市场极度供不应求的状态。

存储市场的结构性变化正在形成。野村证券报告指出，AI推动的存储超级周期已经到来，预计2026年DDR内存需求增长50%，企业级SSD需求翻倍。DRAM营业利润率可能从当前的40-50%攀升至近70%，接近2017年周期峰值。摩根士丹利同样预测存储器将迎来超级周期，特别强调中国市场需求增长将为HBM带来额外红利。

高端存储需求激增正在挤压传统产品供应。由于厂商将先进工艺产能优先分配给服务器DRAM和HBM，PC内存、移动设备内存面临供应短缺。TrendForce预计传统DRAM价格涨幅可能达13-18%，LPDDR4X内存价格将上涨超10%。图形内存同样受到影响，GDDR6供应紧张导致其价格上涨速度超过新一代GDDR7。这种资源倾斜现象被分析师类比为能源行业的”SuperOil+”效应，高利润产品正在吸收大部分产业资源。

存储市场的这轮周期呈现出与以往不同的特征。在AI技术驱动下，HBM等高端产品创造了新的需求维度，改变了传统的供需平衡模式。虽然内存市场具有周期性特征，但当前由特定技术推动的结构性变化可能导致更持久的供应格局调整。行业观察人士指出，这种变化将持续影响从数据中心到消费电子等多个领域的存储供应和定价策略。