标签：存储器件

下一代存储材料

近年来，氧化物半导体因其与后端互连工艺（BEOL）兼容的特性，成为下一代存储架构的重要候选材料。n型氧化物半导体（如IGZO、InWO等）因其超低漏电特性，已成...

AIGC动态

1周前