标签：存储技术
DRAM，走向9纳米
存储行业正迎来十多年来最繁荣的市场周期，AI数据中心需求旺盛与库存见底的双重利好叠加，推动存储厂商进入上行通道。与此同时，DRAM技术发展进入关键拐点，...
这类SSD，国内首款
从1976年2MB的RAM-SSD到2007年32GB SSD进入笔记本，再到如今PCIe Gen4×4接口的普及，固态硬盘（SSD）的容量、体积和形态经历了革命性变革。江波龙最新推出的...
MRAM，台积电重大突破
近年来，非易失性存储器（NVM）技术正迎来快速发展。随着人工智能、自动驾驶、物联网等新兴应用的兴起，传统的存储体系面临速度、能耗与稳定性的多重挑战。为...
DRAM“危机”
在AI技术迅猛发展的背景下，大模型规模的指数级增长对计算资源提出了前所未有的挑战，尤其是存储带宽的限制，成为了制约高性能计算的关键瓶颈。过去几十年中...
HBM 4，大战打响！
2025年将是高带宽存储（HBM）技术竞争的关键一年，尤其是HBM3E的量产和HBM4的研发进入白热化阶段。SK海力士在3月19日宣布全球首发用于AI计算的12层HBM4样品，...
替代HBM，微软探索新方案
AI集群中高带宽内存（HBM）的局限性促使微软研究院团队提出一种新型内存——托管保留内存（MRM）。MRM旨在更有效地存储AI推理工作负载的关键数据结构，通过放弃...
黄仁勋一句话，韩国芯片“慌”了
在本届CES上，英伟达的黄仁勋成为了焦点，其新产品引发广泛讨论。韩国的三星和SK海力士作为存储领域的领导者，对英伟达是否采用他们的HBM技术非常关注，因为...
NAND的新目标，1000层
芯片行业正致力于将3D NAND闪存的堆栈高度在未来几年内提高四倍，从200层增加到800层或更多，以满足对内存的不断增长的需求。这一扩展将带来新的可靠性挑战，...
“拖后腿”的芯片技术
Nvidia的股价在本周二超越苹果，成为全球最有价值的公司，这是继今年6月之后再次取得的辉煌成就。在过去两年中，Nvidia凭借其GPU的强大算力，在AI时代取得了...
存储芯片巨头，秀肌肉！
在即将到来的12月，全球芯片行业的领军企业将齐聚旧金山，参加IEDM大会，展示他们在存储技术领域的最新研究成果。三星、SK海力士、美光和铠侠等公司已经透露...
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