标签：晶体管
二维材料，关键突破，替代硅倒计时？
imec联合ASML与台积电共同展示了一种新型且可扩展的300毫米集成方案，用于制造基于二维过渡金属二硫化物材料的n型和p型场效应晶体管。该方案首次成功演示了接...
寻找铜互联的替代者
集成电路性能的提升已无法仅依赖晶体管尺寸的缩小，互连线材料成为关键瓶颈。随着晶体管进入纳米级，铜互连线的电阻-电容（RC）时间延迟可达晶体管开关速度的...
中国团队披露新型晶体管，VLSI 2025亮点回顾
今年的VLSI大会聚焦了半导体领域的最新进展，涵盖了从芯片制造到存储技术的多个关键领域。FlipFET设计展示了中国在半导体研发中的创新能力，该技术通过翻转晶...
英特尔关键一战：18A工艺，细节全面披露
英特尔在VLSI 2025研讨会上公布了18A（1.8纳米级）制造工艺的详细技术方案，标志着其制程技术首次具备与台积电尖端节点正面对抗的能力。18A工艺在功耗、性能...
晶体管，还能微缩吗？
戈登·摩尔在1965年提出的摩尔定律，预测了集成电路上晶体管数量将每两年翻一番，这一预言不仅成为半导体行业发展的核心驱动力，也深刻影响了全球科技产业的进...
这将是未来的芯片？
在第70届IEEE IEDM会议上，全球顶尖的研究机构和企业展示了半导体技术领域的最新突破。会议的核心主题围绕“塑造未来的半导体技术”，涵盖了从逻辑技术到存储器...
芯片，太热了
随着摩尔定律的持续推动，芯片的晶体管密度每两年翻一番，但这一进步也带来了显著的散热问题。在当今的CPU和GPU等片上系统（SoC）中，温度不仅影响性能、功耗...
芯片，怎么办？
台积电在去年的IEDM大会上展示了其2纳米逻辑平台，成为业界关注的焦点。该平台的开发团队负责人Geoff Yeap强调了其在每瓦性能上的显著提升，指出技术进步不仅...
芯片研究，新突破
日本理化学研究所的一项研究揭示了通过调控钾离子在二硫化钼（MoS₂）原子层中的含量，可以显著改变其电子特性，使其在半导体、金属、超导体和绝缘体之间转换...
台积电眼里的晶体管未来
半导体技术自20世纪中叶以来深刻改变了工业和社会，其发展历程以晶体管的发明为起点。点接触晶体管的发明与双极结型晶体管的发展开启了半导体时代，锗最初因...
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