标签:极紫外

二维材料,关键突破,替代硅倒计时?

imec联合ASML与台积电共同展示了一种新型且可扩展的300毫米集成方案,用于制造基于二维过渡金属二硫化物材料的n型和p型场效应晶体管。该方案首次成功演示了接...

替代EUV光刻机光源,日本方案详解

摩尔定律指出,芯片上的晶体管数量大约每两年翻一番,而光刻分辨率的提升是实现这一目标的关键。随着光源波长的缩短,EUV(极紫外)光刻技术应运而生,其波长...