标签:氧化物半导体

DRAM,巨变前夜

全球半导体行业正因AI与大语言模型的迅猛发展而经历结构性变革,存储芯片从周期性商品转变为AI算力的关键瓶颈,高带宽内存(HBM)需求激增催生“内存超级周期”...

下一代存储材料

近年来,氧化物半导体因其与后端互连工艺(BEOL)兼容的特性,成为下一代存储架构的重要候选材料。n型氧化物半导体(如IGZO、InWO等)因其超低漏电特性,已成...