三星最新芯片路线图:工艺、封装和存储

AIGC动态3周前发布 admin
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三星最新芯片路线图:工艺、封装和存储

 

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【关 键 词】 三星代工芯片技术路线图

三星最近举办了一场代工论坛,旨在重新调整行业对其竞争力和产能的预期。三星希望通过此次活动,吸引AI初创公司、汽车客户和智能手机制造商等高性能设计领域的支持。此次活动的重点是其SF2Z工艺节点的路线图,SF2Z代表2nm级别的背面供电节点,并集成了Gate-All-Around技术(MBCFET)。三星预计将在2027年实现SF2Z的量产,同时SF1.4节点也将在同年开始风险生产。

三星的代工厂主要分布在韩国和美国。韩国的主要设施包括器兴、华城和平泽,而美国的设施位于德克萨斯州的奥斯汀和泰勒。泰勒的新建工厂将成为三星在韩国以外的最大扩张计划,旨在为美国企业提供全面的现场运营支持。

三星的制造技术路线图包括SF4和SF2系列。SF4系列主要采用FinFET技术,适用于智能手机和AI初创公司。SF4P节点针对智能手机领域,SF4X节点则适用于AI和高性能计算(HPC)用户。SF2系列采用MCBFET(GAA)技术,预计在2027年实现大规模生产。SF2Z节点将引入BSPDN技术,以提高性能和能效。

在内存方面,三星展示了其在DRAM、NAND和SSD市场的领先地位。三星的内存路线图包括从SRAM到HBM4的多个层级。HBM4预计在2026年推出,速度将达到2048 GB/秒。三星还计划通过定制HBM来满足高性能硬件的需求。

封装技术方面,三星在智能手机和AI加速器领域都有所涉猎。智能手机封装技术包括I-POP、FOPLP和FOWLOP等。AI芯片封装路线图显示,三星计划在2024年推出2.5D interposer+,并在2026年和2027年引入2.xD和3D封装技术。三星还在投资共封装光学器件(CPO)战略,以实现快速数据传输。

三星的长期目标是保持在芯片制造和封装技术领域的领先地位。通过此次论坛,三星展示了其在先进封装市场的能力和未来发展方向。预计未来将有更多公开讨论和数据展示,进一步巩固其市场地位

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【原文作者】 半导体行业观察
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