带宽战争前夜，“中国版Groq”浮出水面

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文章摘要

英伟达通过200亿美元收购Groq核心技术，标志着AI行业竞争焦点从算力规模转向单位面积带宽的极致追求。这一战略举措不仅创下英伟达历史最大交易纪录，更凸显其向AI推理市场转型的决心。技术层面，英伟达计划在2028年推出集成Groq LPU的Feynman架构GPU，采用台积电A16制程与3D堆叠技术，直指AI推理中长期存在的带宽与延迟瓶颈。行业趋势显示，AMD、d-Matrix等企业同样聚焦存储靠近计算的效能逻辑，印证了”带宽战争”的行业共识。

中国市场方面，寒序科技凭借MRAM技术路线崭露头角，被视为”中国版Groq”的有力竞争者。该企业源自北京大学物理学院，通过”双线布局”战略推出SpinPU系列芯片：M系列专注量子启发式计算，E系列则瞄准大模型解码阶段加速。其核心创新在于采用片上MRAM替代主流SRAM/DRAM方案，利用电子自旋翻转物理特性实现0.1-0.3TB/mm²·s的带宽密度，达到Groq LPU同级水平且成本仅为十分之一。技术优势体现在三方面：存储密度达SRAM的5-6倍、28nm成熟制程即可对标先进工艺、非易失性带来零待机功耗。

MRAM技术的战略价值在半导体地缘政治背景下进一步凸显。美国对带宽密度超过2GB/s/mm²存储器的出口管制，使依赖HBM的国产AI芯片面临供应链风险。寒序科技的磁性流式处理架构（MSA）通过重构数据流组织与存储-计算耦合方式，在避免先进封装依赖的同时实现性能突破。这种”材料-器件-芯片-系统-算法”的全栈创新模式，使其成为国内少数具备从物理原理到工程落地完整能力的团队。

全球产业层面，MRAM正从备选技术升级为主流方案。台积电、三星等代工厂已将eMRAM推进至16nm节点，恩智浦、瑞萨等芯片商在汽车电子领域实现商业化落地。国内市场形成MRAM全产业链布局：致真存储突破8Mb SOT-MRAM芯片，驰拓科技建成12英寸量产线，而寒序科技独辟蹊径地开辟”磁性计算”赛道。据预测，全球MRAM市场规模将以34.99%的复合增长率从2024年42.2亿美元扩张至2034年847.7亿美元。

行业演进逻辑表明，下一代AI芯片竞争将围绕”带宽墙”突破展开。寒序科技的技术路线与英伟达Feynman架构揭示的”通用算力+专用引擎”趋势高度契合。在国产替代背景下，这种基于MRAM的底层创新，不仅规避了HBM供应链风险与SRAM微缩困境，更可能成为中国半导体产业换道超车的关键。随着AI推理进入带宽决胜阶段，提前布局磁性计算范式的企业有望构建新的技术护城河。