欧洲芯片,想得太美!

AIGC动态2周前发布 admin
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欧洲芯片,想得太美!

 

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【关 键 词】 半导体欧洲芯片法案FD SOI晶圆厂

在全球半导体热潮中,欧洲也积极参与其中。去年9月通过的欧洲芯片法案旨在加强当地制造业,刺激设计生态系统,并支持整个价值链的扩大和创新。法案的三个支柱包括:通过“欧洲芯片计划”促进知识转移和技术工业化,吸引公共和私人投资以提高生产能力,建立成员国与委员会之间的协调机制以监测供应和预测短缺。欧盟希望到2030年将其全球市场份额翻一番,达到20%。尽管欧洲芯片产业有所进展,但实现这一目标并不容易。

在技术方面,欧洲在FD SOI(全耗尽绝缘体上硅)技术上迈出了重要一步。法国宣布启动一条价值8.3亿欧元的10nm和7nm FDSOI技术试验生产线,旨在为下一代5G和6G芯片和系统设计提供支持。该生产线位于法国格勒诺布尔,重点领域包括材料到封装,目标是为5G和6G打造堆叠式3D射频系统设备。该生产线将为GlobalFoundries和三星等代工厂以及高通和意法半导体等芯片制造商开发下一代FD SOI工艺技术,节点可达10nm和7nm。

FD SOI技术在5G和6G无线通信中具有重要应用,尤其是在需要高频率和低功耗的情况下。10nm FD SOI工艺将具有450GHz的高频率,而7nm工艺则有望达到540GHz。对于纯数字应用,FD SOI将具有与5nm FinFET相同的性能,而对于射频和模拟应用,FD SOI将表现更佳。未来的应用还需要添加非易失性存储器和异构集成,以创建颠覆性的芯片架构。

然而,欧洲在建立自有晶圆厂生态方面频频遇挫。台积电、英特尔等公司在欧洲的建厂计划因各种原因延误。台积电计划在德国德累斯顿建设的欧洲半导体制造公司(ESMC)项目预计于2027年投产,但面临劳动力短缺和工会问题。英特尔在德国的Fab 29.1和Fab 29.2工厂建设因等待欧盟补贴审批和需要移除黑土而推迟,预计2029年至2030年之间开始生产。Wolfspeed在德国的工厂建设也因市场疲软和资金问题推迟到2025年中期。

尽管欧盟芯片法案旨在通过公共和私人投资筹集430亿欧元以加强半导体产业,但两年过去,真正开工建设的项目寥寥无几。获得欧盟委员会批准的国家援助项目更少,这些拖延减缓了该地区实现自给自足和保护自己免受贸易紧张局势影响的努力。专家认为,欧盟到2030年赢得全球20%市场份额的目标已经无法实现,芯片市场的相互关联性使得自给自足不现实。尽管如此,已经发布的项目数量仍然令人惊叹,即使其中有几个项目永远不会面世。

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【原文作者】 半导体行业观察
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