AI芯片战争关键一役！英伟达最强Blackwell首次「美国造」

文章摘要

【关 键 词】 AI芯片、半导体制造、英伟达、台积电、技术突破

周五，英伟达与台积电在美国亚利桑那州工厂联合展示了首片Blackwell架构AI芯片晶圆，标志着全球最先进的AI芯片首次实现「美国本土制造」。这一事件被业界誉为「改变行业格局的里程碑」，不仅体现了半导体制造的技术突破，更象征着美国高端制造业的战略回归。

Blackwell晶圆的下线是英伟达「Made in USA」计划的关键进展。早在2024年4月，英伟达CEO黄仁勋就宣布投入5000亿美元推动本土芯片制造，而亚利桑那工厂的总投资已累计达1650亿美元。黄仁勋在仪式中强调，「没有台积电的制造能力，英伟达的AI创新无法实现」，凸显了半导体代工龙头在产业链中的不可替代性。该工厂将量产包括2纳米、3纳米等尖端制程芯片，覆盖AI、通信和高性能计算领域。

技术层面，Blackwell架构展现了多项突破：采用台积电4NP定制工艺，集成2080亿个晶体管；通过NV-HBI接口实现10TB/s的超高速芯片互连，使双子芯片在逻辑上构成统一GPU。目前该架构已进入全面量产阶段，其后续演进版本Blackwell Ultra和Rubin平台（计划2026年推出）也将逐步在美国投产。

这一合作具有深远的产业意义。「驱动全球AI基础设施的引擎正转向美国本土」，台积电创始人张忠谋称其为「半导体行业最重要的转折点」。项目不仅涉及技术迁移，更将创造大量就业机会，重塑全球供应链格局。随着Feynman等未来架构的规划，美国在AI芯片领域的技术主导地位或将持续强化。

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【原文作者】 新智元
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