NAND，新“混”战

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文章摘要

存储市场迎来全面涨价周期，AI服务器和高密度存储需求推动NAND闪存价格快速上涨。在这一背景下，各大存储厂商加速推进下一代技术路线，其中混合键合技术成为竞争焦点。SK海力士决定在300层NAND节点提前导入该技术，打破业界预期；三星电子则冲刺400多层V10 NAND，采用混合键合外围单元架构；铠侠通过CMOS直接键合阵列技术已实现332层3D闪存量产。技术路线分化明显，厂商战略各具特色。

混合键合技术因解决传统架构瓶颈而成为必选项。当NAND层数突破300层后，传统PUC架构面临外围电路高温工艺导致的可靠性问题。混合键合通过分离制造存储单元和外围电路晶圆，实现独立优化，显著提升性能与良率。铠侠CBA技术使位密度提高59%，接口速度达4.8Gb/s；三星CoP架构验证了5.6 GT/s的高速接口；长江存储凭借早期布局的Xtacking技术形成独特优势。该技术将NAND制造范式从单片堆叠转向模块化架构，为未来发展打开新空间。

技术路线博弈背后是残酷的市场竞争。三星采用高层堆叠与键合双轨战略，但面临超低温蚀刻设备评估延迟的挑战；铠侠选择稳健工程路线，通过与西部数据合作分摊研发成本；长江存储逆势扩张产能，巩固混合键合工艺优势；SK海力士为追赶竞争对手，加速300层技术导入。企业级SSD需求爆发成为关键推动力，AI大模型训练需要更高性能的存储解决方案。

产业正在向1000层NAND迈进，但需突破深宽比蚀刻等极限工程难题。混合键合技术使多晶圆拼接成为可能，但超高层堆叠对材料、设备和工艺控制提出前所未有的要求。深孔蚀刻技术需应对100:1以上的深宽比挑战，Z轴方向厚度压缩需保持可靠性。设备厂商已提前布局，Lam Research和东京电子的低温蚀刻系统、红外量测等新技术为量产提供支撑。成本效益平衡成为未来竞争关键，厂商需在层数、架构、材料等多维度寻求最优解。

这场技术竞赛不仅是层数的比拼，更是综合创新能力的较量。混合键合应用的成熟让架构创新成为可能，未来NAND发展将呈现多元化路径。存储产业正经历近十年来最显著的技术路线分化，谁能在多个技术维度取得突破，谁就能在千层时代的市场竞争中占据先机。