半导体大厂，加速扩产

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文章摘要

在AI技术快速发展和汽车电子渗透率提升的双重推动下，全球半导体行业正迎来新一轮扩产热潮。根据SEMI预测，2025年全球半导体产能将同比增长15%，创下历史新高。这一趋势下，从晶圆制造到先进封装，各领域巨头纷纷加码产能布局，形成技术突破与规模扩张并行的竞争格局。

SK海力士成为AI超级周期的最大赢家，其战略聚焦HBM和1c DRAM双线并进。HBM领域，SK海力士占据全球超过60%市场份额，几乎垄断英伟达订单，其HBM4产品2026年产能已售罄。1c DRAM方面，计划到2026年月产能提升8-9倍至16-19万片，占DRAM总产能三分之一以上。这一布局既巩固了高端市场优势，又保障了标准型DRAM供应，推动其2025年一季度以36.7%份额首登DRAM市场第一。

三星电子采取存储芯片与先进制程代工双轮驱动策略。存储领域，1c DRAM扩产规模创公司纪录，目标2026年底月产20万片；HBM3E出货激增助其2025年三季度重回DRAM市场份额第一。代工方面，2nm工艺已获中国挖矿芯片企业和特斯拉订单，计划2026年底月产能提升至2.1万片。三星还重启平泽P5工厂建设，并规划龙仁半导体集群6座晶圆厂，总投资360万亿韩元。

美光科技投资96亿美元在日本广岛建设专用HBM工厂，预计2028年投产，月产能10万片晶圆。这一布局旨在突破韩系厂商垄断，其1γ工艺已应用于HBM3E生产，良率提升至60%以上。日本政府预计提供5000亿日元补贴支持该项目，凸显地缘政治因素在半导体供应链重构中的影响。

台积电聚焦3nm/2nm和CoWoS封装扩产。3nm产能利用率已达100%，计划2026年提升至14-15万片/月；2nm制程需求超预期，晶圆厂数量将从7座增至10座。CoWoS封装产能2026年目标12万片/月，嘉义AP7封装枢纽和美国工厂建设同步推进。2025年资本支出达400-420亿美元，70%投向先进制程。

格罗方德投资11亿欧元扩建德国德累斯顿工厂，目标年产能110万片晶圆，该项目有望获《欧洲芯片法案》支持。日月光控股加码台湾先进封装，中坜基地实现100%控股，楠梓新园区建设启动，CoWoS等先进封装订单能见度已延伸至2027年。

德州仪器采取”东南亚封装+美国晶圆”双核心战略：马来西亚TIEM2封装厂投产，美国投资600亿美元建设7座晶圆厂。这一布局既响应供应链区域化需求，又契合美国芯片制造回归政策。

上游材料设备领域同步扩张，东京应化、JSR、富士胶片等日企加大光刻胶产能投资，为先进制程提供支撑。整体来看，当前半导体扩产呈现三大特征：AI驱动HBM和先进制程需求爆发、地缘政治重塑供应链布局、封装测试与材料设备等配套环节协同发展。各巨头通过技术突破与产能扩张的协同，争夺AI时代半导体产业主导权。