大芯片封装，三分天下

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文章摘要

在AI芯片快速发展的背景下，GPU、AI ASIC等高性能计算核心以及HBM（高带宽内存）正成为采用2.5D/3D封装技术的高端产品主力军。先进封装平台对提升器件性能和带宽至关重要，已成为半导体领域最热门的话题。近期，英特尔先进封装技术EMIB受到苹果和高通的评估，显示出全球顶级芯片企业正在探索台积电之外的替代方案。台积电、英特尔和三星在先进封装领域形成“三强鼎立”格局，各自承担不同的产业链角色。据Yole Group分析，2025年第二季度先进封装收入将超过120亿美元，预计到2030年市场规模将达到800亿美元。

台积电的CoWoS技术已成为高带宽封装的事实标准，但其产能严重不足，被英伟达长期占据大部分份额。瑞银预计，2026年英伟达对CoWoS晶圆的需求量将增长近40%，达到67.8万片。此外，CoWoS的中介层成本高昂，封装BOM成本飙升，且HBM堆叠越多，热密度管理越困难。台积电正在扩产CoWoS产能，计划2026年底前将产能扩大20%以上。然而，CoWoS的高成本和产能限制使其并非所有企业都能负担或获得。

英特尔的EMIB技术凭借灵活性、成本优势和本土化供应链成为潜在替代方案。EMIB是一种嵌入式硅桥，仅在需要高速互联的区域增加高密度硅布线，相比CoWoS的大中介层，EMIB在成本、灵活性和散热方面更具优势。EMIB特别适合定制ASIC、AI推理芯片和SoC级模块化设计。英特尔还通过EMIB 3.5D混合架构，结合Foveros的垂直堆叠能力，进一步优化封装性能。此外，英特尔在美国本土的封装产能为其在地缘政治中提供了供应链安全优势。

三星的先进封装技术从HBM供应链反向切入，其I-Cube和X-Cube技术分别针对2.5D和3D封装需求。I-Cube S采用大硅中介层方案，适合高带宽需求，而I-Cube E则使用Si Bridge + RDL Interposer的混合方案以降低成本。X-Cube通过铜混合键合技术实现高密度3D堆叠，提升产品性能和速度。三星通过HBM供应链的话语权，在封装路线选择和系统架构协同上获得更大影响力。

AI芯片代工领域的竞争已从单一封装工艺转向算力架构、供应链安全和生态绑定的综合博弈。台积电、英特尔和三星分别围绕高端客户、本土化供应链和HBM一体化方案展开竞争。对下游芯片设计公司而言，封装路线的选择将直接影响产品性能和交付确定性。对本土产业链来说，先进封装既是挑战也是换道超车的机遇。