钨退钼进，势不可挡？

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文章摘要

近期，SK海力士完成375层3D NAND闪存生产验证并计划年底量产，其核心变革在于字线金属栅极首次引入钼材料取代钨薄膜。三星、美光等存储巨头也已相继布局，全球半导体行业正迎来从钨向钼切换的材料替代拐点，钼金属成为支撑300层以上超高堆叠NAND闪存落地的核心关键材料。

这种技术转向源于3D NAND层数攀升带来的物理与工艺极限挑战。突破300层后，传统钨材料电阻率激增、阻挡层挤占空间及CVD工艺填充困难等缺陷彻底暴露。相比之下，钼在纳米尺度下电阻率增幅更小，无需阻挡层即可节省大量垂直空间，且完美适配ALD原子层沉积技术，能大幅提升制造良率与可靠性。

钼材料的应用场景正从NAND向更广阔的半导体领域延伸。NAND已成为钼需求确定性爆发的赛道，而在DRAM领域，特别是高密度堆叠的HBM产品中，钼的渗透率正快速提升。此外，钼也被积极探索作为先进制程逻辑芯片铜互连的替代材料。从NAND到DRAM再到逻辑芯片，钼的应用路径已形成清晰传导脉络，将打开巨大增量空间。

这场材料变革正带动整条供应链价值重估，上游高纯钼原料、前驱体、ALD设备等需求激增。由于国内外在钼材料研发与量产节奏上基本同步，且国内具备丰富的钼资源与成熟的产业集群，这为国内产业提供了难得的国产化黄金窗口期，有望在高端材料提纯、核心设备与耗材领域实现弯道超车。

尽管前景广阔，钼材料量产仍面临高纯度提纯门槛高、前驱体管控难、产线改造成本高及矿端供应波动等壁垒，且钌等新材料也在持续研发中。在微缩制程逼近极限的当下，底层材料革命已成为延续半导体性能提升的关键变量，以钼代钨的进程将深刻重塑全球半导体产业链与竞争格局。