替代DUV，光芯片赛道迎来国产首台纳米压印光刻机

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文章摘要

随着半导体制造制程微缩面临经济学瓶颈，纳米压印光刻正成为深紫外和极紫外光刻机的强有力互补路线。璞璘科技向深圳力策科技交付了真空气压式晶圆级纳米压印光刻机，并成功实现8英寸光芯片晶圆的规模化量产验证。该制造过程完全绕开深紫外光刻路线，将单片芯片制造成本压缩至传统方案的十分之一。这一突破打破了海外装备垄断，为产业提供了一条成本可控且可规模复制的替代路径。

从技术演进来看，璞璘科技完成了从研发破局到量产替代的跨越。此前交付的步进式系统主要面向工艺开发，而此次交付的真空气压式设备专为晶圆级全幅面量产打造。该设备采用面接触压印原理和真空环境，确保了纳米单元受力一致并避免气泡缺陷，同时简化的结构大幅降低了设备投资与维护成本。其核心性能指标已全面对标国际主流，线宽小于10纳米，残余层厚度偏差严格控制在2纳米以内。

在应用落地方面，纳米压印量产方案已在多个光芯片细分赛道完成客户验证。在激光雷达芯片领域实现了大口径芯片的规模化制备，在光通讯与传感芯片领域采用复合模板技术解决了衬底易碎瓶颈，在硅光芯片领域实现了跨尺度结构一次成型。在光芯片制造领域，纳米压印已成为比深紫外光刻更具成本优势的量产首选方案。

此次设备交付在多个维度具有深远的行业意义。这不仅证明了国产纳米压印能够实现规模化量产并真正替代深紫外光刻，还为对成本极度敏感的光芯片制造开辟了低成本且自主可控的新通道。同时，这也标志着中国在纳米压印领域形成了设备、材料与工艺完全自主的产业闭环体系。国内企业正通过原理创新和工程化突破，在光芯片制造领域走出一条高性价比且自主可控的全新发展路径。